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    技术编号:20597407 阅读:53 留言:0更新日期:2019-03-16 12:58
    本发明专利技术提供一种电路基板的制造方法,其包含:从形成于临时基材上的电路除去所述临时基材的工序;以及将所述电路配置于绝缘层上的工序,所述配置按照使所述电路的与所述临时基材相对的一侧与所述绝缘层相对的方式进行。

    The Manufacturing Method of Circuit Substrate and Circuit Substrate

    四川体彩金7乐开奖查询 www.whutd.com The invention provides a method for manufacturing a circuit base plate, which includes: the process of removing the temporary base material from the circuit formed on the temporary base material; and the process of configuring the circuit on the insulating layer in a manner that makes the opposite side of the circuit to the temporary base material relative to the insulating layer.

    【技术实现步骤摘要】
    【国外来华专利技术】电路基板的制造方法和电路基板
    本专利技术涉及一种电路基板的制造方法和电路基板。
    技术介绍
    伴随电子设备的小型化和高功能化的进展,作为能够将电子部件高密度地安装于基板上的电路基板,广泛使用印刷基板。印刷基板通常如下制造:通过将金属箔粘贴于基板上并对其进行蚀刻而加工成期望的电路形状。另一方面,伴随电子设备的使用环境的多样化,要求电路基板的电流容量的增大(大电流化)。电路基板的电流容量可以通过增大电路的截面积来增大。但是,以在印刷基板上通过蚀刻形成电路的方法来使电路的厚度增厚,这在技术上很困难(例如,电路成为锥形状而难以确保电路间的绝缘性)。另外,如果增厚电路的厚度,则担心在蚀刻液中的浸渍时间变长而影响品质。因此,为了使通过蚀刻形成的电路的截面积增大,需要扩大配线的宽度来代替增厚厚度。其结果是,有时无法满足电路基板的小型化要求。作为应对电路基板的小型化且大电流化的方法,提出了一种将预先形成有电路的金属构件埋设于包含树脂的绝缘层中的方法(例如,参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2001-36201号公报
    技术实现思路
    专利技术要解决的课题专利文献1所记载的方法中,通过将金属构件压入受热而软化的绝缘层中来制造电路基板。然而,就该方法而言,在将金属构件压入树脂基材时,有可能在金属构件与绝缘层的界面产生空隙,或产生金属构件的位置偏离、被挤出的树脂凸起等而导致尺寸发生变化,结果绝缘可靠性降低。本专利技术鉴于上述情况,其课题在于提供能够制造电流容量大且绝缘可靠性优异的电路基板的电路基板制造方法、以及电流容量大且绝缘可靠性优异的电路基板。用于解决课题的方法用于提供上述课题的具体方法包含以下的实施方式。<1>一种电路基板的制造方法,其包含如下工序:从形成于临时基材上的电路除去上述临时基材的工序;以及将上述电路配置于绝缘层上的工序,上述配置按照使上述电路的与上述临时基材相对的一侧与上述绝缘层相对的方式进行。<2>根据<1>所述的电路基板的制造方法,上述电路通过从配置于上述临时基材上的具有电路部和电桥的金属构件除去上述电桥而形成。<3>根据<1>或<2>所述的电路基板的制造方法,其进一步包含:用树脂填充形成于上述临时基材上的上述电路之间的工序。<4>根据<1>~<3>中任一项所述的电路基板的制造方法,上述电路的厚度大于或等于350μm。<5>根据<1>~<4>中任一项所述的电路基板的制造方法,上述绝缘层的厚度小于上述电路的厚度。<6>一种电路基板,其具有绝缘层和配置于上述绝缘层上的电路,上述电路的厚度大于或等于350μ。<7>根据<6>所述的电路基板,其进一步包含填充上述电路之间的树脂。<8>根据<6>或<7>所述的电路基板,上述绝缘层的厚度小于上述电路的厚度。专利技术效果根据本专利技术,提供一种能够制造电流容量大且绝缘可靠性优异的电路基板的电路基板制造方法、以及电流容量大且绝缘可靠性优异的电路基板。附图说明图1是概念性地表示将具有电路部和电桥的金属构件配置于临时基材上的状态的立体图。图2是概念性地表示将具有电路部和电桥的金属构件配置于临时基材上的状态的截面图。图3是概念性地表示从金属构件除去电桥后的状态的立体图。图4是概念性地表示从金属构件除去电桥后的状态的截面图。图5是概念性地表示用树脂填充了电路之间的状态的立体图。图6是概念性地表示用树脂填充了电路之间的状态的截面图。图7是概念性地表示电路配置于绝缘层上的状态的立体图。图8是概念性地表示电路配置于绝缘层上的状态的截面图。图9是概念性地表示具有通过蚀刻形成的电路的电路基板(以往技术)的立体图。图10是概念性地表示具有通过蚀刻形成的电路的电路基板(以往技术)的截面图。具体实施方式以下,对用于实施本专利技术的方式进行详细说明。但是,本专利技术不限于以下的实施方式。在以下的实施方式中,其构成要素(也包含要素步骤等),除了特别明示的情况以外都不是必须的。关于数值及其范围也同样,并不限制本专利技术。在本说明书中,关于“工序”一词,除了独立于其他工序的工序以外,即使在与其他工序不能明确区分的情况下,只要能够实现该工序的目的,则也包含该工序。另外,在本说明书中,使用“~”来表示的数值范围包含“~”前后所记载的数值分别作为最小值和最大值。在本说明书中阶段性记载的数值范围中,一个数值范围中记载的上限值或下限值可以替换为其他阶段性记载的数值范围的上限值或下限值。另外,在本说明书中记载的数值范围中,其数值范围的上限值或下限值也可以替换为实施例所示的值。在本说明书中,关于“层”一词,除了在观察存在该层的区域时形成于该区域的整体的情况以外,也包含仅形成于该区域的一部分的情况。<电路基板的制造方法>本实施方式的电路基板的制造方法包含:从形成于临时基材上的电路除去上述临时基材的工序;以及将上述电路配置于绝缘层上的工序,上述配置按照使上述电路的与上述临时基材相对的一侧与上述绝缘层相对的方式进行。在一个实施方式中,形成于绝缘层上的电路的厚度大于或等于350μm。另外,在一个实施方式中,绝缘层的厚度小于电路的厚度。另外,在一个实施方式中,在将绝缘层的厚度设为A、电路的厚度设为B时,A/B的值可以小于或等于0.8,也可以小于或等于0.5。在本实施方式的制造方法中,通过从形成于临时基材上的电路除去临时基材,并按照使电路的与临时基材相对的一侧与绝缘层相对的方式将电路配置于绝缘层上,从而在绝缘层上形成电路。因此,不用担心通过将电路压入绝缘层而导致在电路与绝缘层的界面产生空隙。另外,不用担心通过将电路压入绝缘层而产生电路的位置偏离,从而损害尺寸稳定性。其结果是,能够制造绝缘可靠性优异的电路基板。进一步,在本实施方式的制造方法中,使用预先形成于临时基材上的电路来形成电路。因此,与在绝缘层上通过蚀刻形成电路的情况相比,能够形成厚度大的电路。因此,能够在不增大电路的宽度的情况下增大其截面积,能够应对电路基板的小型化并实现大电流化。另外,通过形成厚度大的电路,从而电路会促进在面方向上的热扩散,因此也能够期待抑制电路基板的温度上升的效果。在本说明书中,电路“配置”于绝缘层上的状态包含以下两种情况:电路完全没有埋入绝缘层的情况(埋入深度为0μm)、以及电路在绝缘层中的埋入深度小于或等于20μm的情况。本说明书中,电路的“埋入深度”是指绝缘层的上表面(与电路相对的面,是在因埋入电路而变形之前的状态的面)与电路的底面(与绝缘层相对的面,是埋入后的状态的面)之间的距离。具体地说,可以为从配置于绝缘层上之前的电路的厚度A和绝缘层的厚度B的合计值减去将电路配置于绝缘层上之后的电路基板的形成有电路的部分的厚度C而得到的值即(A+B-C)的形式计算而得到的值,也可以为观察电路基板的截面而测定埋入深度所得到的值。在电路基板中的埋入深度不固定的情况下,将在5处测定的埋入深度的平均值设为“埋入深度”。需要说明的是,本说明书中,将电路的埋入深度超过20μm的情况也称为“埋设”。在本实施方式的制造方法中,从形成于临时基材上的电路除去临时基材的方法没有特别限制。例如,也可以通过使用具有可挠性的片材作为临时基材,将其从电路剥离来进行。在本实施方式的制造方法中,将除去了临时基材的电路配置于绝缘层上的方法没有特别限制。例如,可以按照从重力方向来看,电路在上面的本文档来自技高网...

    【技术?;さ恪?/strong>
    1.一种电路基板的制造方法,其包含如下工序:从形成于临时基材上的电路除去所述临时基材的工序;以及将所述电路配置于绝缘层上的工序,所述配置按照使所述电路的与所述临时基材相对的一侧与所述绝缘层相对的方式进行。

    【技术特征摘要】
    【国外来华专利技术】2016.07.12 JP 2016-1374621.一种电路基板的制造方法,其包含如下工序:从形成于临时基材上的电路除去所述临时基材的工序;以及将所述电路配置于绝缘层上的工序,所述配置按照使所述电路的与所述临时基材相对的一侧与所述绝缘层相对的方式进行。2.根据权利要求1所述的电路基板的制造方法,所述电路通过从配置于所述临时基材上的具有电路部和电桥的金属构件除去所述电桥而形成。3.根据权利要求1或2所述的电路基板的制造方法,其进...

    【专利技术属性】
    技术研发人员:西山智雄,户川光生,安克彦,竹泽由高,宫崎靖夫,原直树,平林光信,天沼真司,早风拓哉,
    申请(专利权)人:日立化成株式会社,
    类型:发明
    国别省市:日本,JP

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