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  • 株式会社爱发科专利技术

    株式会社爱发科共有713项专利

    • 本发明提供一种在被湿蚀刻时具有优异控制性的蚀刻停止层及半导体器件的制造方法。当通过干蚀刻在一方向上蚀刻被蚀刻层(Le)时,在被蚀刻层的蚀刻推进方向前侧层压本发明的蚀刻停止层(Ls),所述蚀刻停止层由含有20~50重量%的硼或钇的氧化铝膜...
    • 本发明的带透明导电膜的基板的制造方法为以与绝缘性的透明基板相接的方式配置透明导电膜的带透明导电膜的基板的制造方法,至少依次具备:步骤α,在设为希望的减压气氛的热处理空间中,将所述透明基板控制到规定的成膜前温度;步骤β,在设为希望的工艺气...
    • 提供一种能够对基板的位置提高检测精度的位置检测装置及蒸镀装置。位置检测装置(10)具备:拍摄部(11),其拍摄第1像和第2像,该第1像基于由基板(W)的平坦部(Wp1)反射的光形成,该第2像基于由与平坦部(Wp1)连接的斜面部(Wp2)...
    • 本发明的薄膜的形成方法,其包含第一工序和第二工序;在该第一工序中,是将成膜对象的温度设为200℃以上,并从第一状态变成第二状态;该第一状态是将成膜材料和载流气体供给至该成膜对象从而使该成膜材料附着于该成膜对象;该第二状态是从第一状态中将...
    • 本发明的成膜装置为对被处理基板进行成膜的成膜装置,包括:供给装置,配置在能够真空排气的腔室内且用于供给成膜材料;和保持装置,用于在成膜时保持所述被处理基板。所述保持装置具有:防着板,用于覆盖所述保持装置中所述成膜材料所附着的区域;保持部...
    • 本发明的溅射装置为通过溅射法在被处理基板上进行成膜的装置,包括:真空腔室;靶,设置在位于所述真空腔室内的阴极的表面上;基板保持部,以与所述靶相对的方式设置于所述真空腔室内,在所述基板保持部上设置被处理基板;和摇动部,用于使所述基板保持部...
    • 本发明提供能够提高基板位置的检测精度的位置检测装置、位置检测方法以及蒸镀装置。图像处理部(20)根据正面摄像部的各照相机(11)对基板标记(Wm)进行摄像的结果算出正面摄像部的照相机(11)间的相对位置,并使用该照相机(11)间的相对位...
    • 本发明提供一种作为具有用来制造多个压电元件以固定间隔排列成矩阵状的产品率高的结构的器件的矩阵型超声波探头。本发明的超声波探头(AP)具有的结构包括:第一干膜抗蚀剂(22),其具有开设成矩阵状的多个第一开口(22a),在使压电元件(21)...
    • 本发明的基板导向件以基板的面沿大致铅直方向的方式设置于大致垂直保持所述基板的载体的载体框架上,并且与所述基板的至少周边端面部相接而支撑所述基板?;宓枷蚣ǎ喊沧霸谒鲈靥迳系幕?;基板支撑部,与保持在所述载体上的所述基板的所述周边端...
    • 本发明涉及一种布线基板的加工方法,所述布线基板包括在基板上局部配置的导体部被树脂部包覆的结构,所述树脂部是成为填料的无机材料分散于有机材料而成,所述布线基板的加工方法使用灰化法,从所述树脂部的表层侧去除所述有机材料,使用湿式清洗法,对残...
    • 课题:提供一种能够实现缩短返回电流路径和确保对称性的等离子体处理装置。解决手段:本发明的一实施方式涉及的等离子体处理装置具备腔室主体、载物台、高频电极、多个接地部件、可动单元。上述腔室主体具有侧壁,所述侧壁的一部分包括能够使基板通过的开...
    • 本发明的闸阀具备:阀箱,具有中空部和第一开口部及第二开口部,所述第一开口部及第二开口部隔着所述中空部彼此相对设置且成为连通的流道;中立阀体,配置在所述阀箱的所述中空部内且能关闭所述第一开口部;和旋转轴,作为位置切换部发挥功能且具有沿流道...
    • 本发明涉及表面处理方法及表面处理装置。本发明的表面处理方法为如下过程:在由阀金属构成的被处理体的被处理面设定多个处理区域,并且将各处理区域连续或断续地浸渍在电解液中以进行阳极氧化处理,从而在所述被处理面上形成氧化被膜。所述阳极氧化处理包...
    • 本发明提供一种掩膜板,其在通过磁铁阵列的吸引力将掩膜板紧密贴合在基板的下表面以使基板(Sw)夹隔在接触板(Tp)和掩膜板(MP)之间时,可尽量抑制在图案掩膜部(1)的透孔(11)周边的突起,并可防止已形成的薄膜上发生掩膜失效。本发明的掩...
    • 本发明提供一种溅射装置用成膜单元,其不会损害靶相对于磁铁单元自由相对移动的功能,结构简单且维护性良好。本发明的溅射装置用成膜单元(FU),其中在支撑板(1)上设置有与背板(3)接合的靶(2);磁铁单元(5);以及使靶相对磁铁单元沿支撑板...
    • 本发明提供一种可尽量减少粒子的影响的所谓向下沉积方式的真空蒸镀装置。其具有配置在真空室(1)内的蒸镀源(3),蒸镀源具有容置蒸镀物质(Vm)的容置箱(31)和加热蒸镀物质使其升华或气化的加热装置(33);容置箱中设置有升华或气化了的蒸镀...
    • 本发明提供一种使碳纳米结构体在处理对象物整个表面上生长的碳纳米结构体生长用CVD装置以及碳纳米结构体的制造方法,该生长用CVD装置(M)具有:处理炉(1);运送装置(15),以通过处理炉内的方式运送处理对象物(Fm);气体导入装置(11...
    • 本发明提供一种可有效地抑制掩膜效应,并使蒸镀物质附着效率良好地成膜的真空蒸镀装置。其具有:蒸镀源(3),其配置在真空室(1)内;移动装置,其使基板(S)相对于蒸镀源在一个方向上相对移动;以及掩膜材料(4)。以基板相对于蒸镀源的相对移动方...
    • 本发明提供一种可维持规定的成膜率不变,并有效形成应力在规定值以内的氧化铝膜的成膜方法。在本发明中,在真空室(1)内相对配置被成膜物(S)和铝材质的靶(21,22),向真空气氛中的真空室内导入稀有气体和氧气、给靶施加规定电力对靶进行溅射,...
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